簡(jiǎn)要描述:STS8203S半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司在全新一代測(cè)試系統(tǒng)STS8200測(cè)試平臺(tái)上開(kāi)發(fā)的系列測(cè)試產(chǎn)品之一。本系統(tǒng)可用于各類(lèi)二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管及多陣列器件等各類(lèi)分立器件的功能和交參數(shù)測(cè)試。
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STS8203S半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司在全新一代測(cè)試系統(tǒng)STS8200測(cè)試平臺(tái)上開(kāi)發(fā)的系列測(cè)試產(chǎn)品之一。
本系統(tǒng)可用于各類(lèi)二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管及多陣列器件等各類(lèi)分立器件的功能和交參數(shù)測(cè)試。
功率測(cè)試電流達(dá)±200A,功率源電壓±40V,高壓可達(dá)±2000V,覆蓋了絕大多數(shù)分立器件品種的測(cè)試需求。
該系統(tǒng)測(cè)試速度快、精度高、性能穩(wěn)定、測(cè)試安全、適應(yīng)性好,適合科研院所、電子設(shè)備整機(jī)生產(chǎn)廠(chǎng)、半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線(xiàn)、檢測(cè)認(rèn)證中心等單位使用。
測(cè)試原理符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
功率參數(shù)嚴(yán)格按照300us測(cè)試方法,確保器件溫升影響控制到最小。
16位驅(qū)動(dòng)與測(cè)量分辨率,經(jīng)過(guò)系統(tǒng)精密校準(zhǔn),驅(qū)動(dòng)與測(cè)試精度更高。電壓的驅(qū)動(dòng)與測(cè)量精度達(dá)到了0.05%(Fs),電流的驅(qū)動(dòng)與測(cè)量精度達(dá)到了0.1%(Fs)。
使用操作簡(jiǎn)便、測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、穩(wěn)定。
軟硬件鉗位保護(hù),測(cè)試更安全可靠。
采用菜單填表式的編程模式,提供各類(lèi)型典型器件測(cè)試模板。
提供豐富的測(cè)試適配器及通用的多陣列測(cè)試適配板,支持多達(dá)8個(gè)單元的二極管、三極管陣列的測(cè)試,支持多路普通與高速光耦的測(cè)試(選配)。
二極管自動(dòng)識(shí)別極性功能。
采用四線(xiàn)開(kāi)爾文插座測(cè)試貼片器件,確保精度和穩(wěn)定性滿(mǎn)足測(cè)試要求。
測(cè)試頭內(nèi)獨(dú)立精密測(cè)量單元用于MOSFET Rds(on)等微弱電壓的精確穩(wěn)定測(cè)量。
為滿(mǎn)足MOSFET GFS參數(shù)的測(cè)試,功率源輸出在40A條件下可達(dá)50V。
開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試選件支持二極管、三極管、MOS管和可控硅的開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試。
STS8203S半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
特色功能1:雙極型三極管及絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線(xiàn)的測(cè)量顯示功能。
特色功能2:功率參數(shù)測(cè)試及測(cè)試條件的電壓/電流波形顯示功能。
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